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機(jī)載高頻開關(guān)電源的系統(tǒng)構(gòu)成以及其設(shè)計(jì)
2022-06-20

機(jī)載高頻開關(guān)電源產(chǎn)品專門用于輸入交流400Hz的場(chǎng)合，這是特意為了滿足軍用雷達(dá)、航空航天、艦船、機(jī)車以及導(dǎo)彈發(fā)射等專門用途所設(shè)計(jì)的。應(yīng)用戶要求，研制出機(jī)載高頻開關(guān)電源產(chǎn)品對(duì)電子武器裝備系統(tǒng)的國產(chǎn)化，打破國際封鎖，提高我軍裝備的機(jī)動(dòng)性，高性能都有重要的意義。 機(jī)上可供選擇的供電電源有兩種輸入方式：115V/400Hz中頻交流電源和28V直流電源。兩種輸入方式各有優(yōu)缺點(diǎn)，115V/400Hz電源波動(dòng)小，需要器件的耐壓相對(duì)較高;而28V直流電源卻相反，一般不能直接提供給設(shè)備部件使用，必須將供電電源進(jìn)行隔離并穩(wěn)壓成為需要的直流電源才能使用。機(jī)載電源的使用環(huán)境比較惡劣，必須適應(yīng)寬范圍溫度正常工作，并能經(jīng)受沖擊、震動(dòng)、潮濕等應(yīng)力篩選試驗(yàn)，因此設(shè)計(jì)機(jī)載電源的可靠性給我們提出了更高的要求。下面主要介紹115V/400Hz中頻交流輸入方式所研制的開關(guān)電源，它的輸出電壓270～380Vdc可以調(diào)節(jié)，輸出功率不小于3000W，環(huán)境溫度可寬至-40℃～+55℃，完全適應(yīng)軍品級(jí)電源的需要。 系統(tǒng)構(gòu)成及主回路設(shè)計(jì) ? 圖1 整機(jī)電路原理框圖 升壓功率因數(shù)校正電路主要使輸入功率因數(shù)滿足指標(biāo)要求，同時(shí)實(shí)現(xiàn)升壓預(yù)穩(wěn)功能。本部分設(shè)計(jì)兼顧功率因數(shù)電路達(dá)到0.92的要求，又使DC/DC輸入電壓適當(dāng)，不致使功率因數(shù)校正電路工作負(fù)擔(dān)過重，因此設(shè)定在330～350Vdc。 隔離式DC/DC變換器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)形式主要有以下幾種：正激、反激、全橋、半橋和推挽。反激和正激拓?fù)渲饕獞?yīng)用在中小功率電源中，不適合本電源的3000W輸出功率要求。全橋拓?fù)潆m然能輸出較大的功率，但結(jié)構(gòu)相對(duì)較為復(fù)雜。推挽電路結(jié)構(gòu)中的開關(guān)管電壓應(yīng)力很高，并且在推挽和全橋拓?fù)渲卸伎赡艹霈F(xiàn)單向偏磁飽和，使開關(guān)管損壞。而半橋電路因?yàn)榫哂凶詣?dòng)抗不平衡能力，而且相對(duì)較為簡單，開關(guān)管數(shù)量較少且電壓電流應(yīng)力都比較適中，故不失為一種合理的選擇。 DC/DC變換電路主要為功率變壓器設(shè)計(jì)，采用IGBT/MOSFET并聯(lián)組合開關(guān)技術(shù)和半橋電路平衡控制技術(shù)。經(jīng)過分析計(jì)算，采用雙E65磁芯，初級(jí)線圈12匝，次級(jí)繞組圈15匝。 關(guān)鍵技術(shù)設(shè)計(jì) 1功率因數(shù)校正技術(shù)和無源無耗緩沖電路 具有正弦波輸入電流的單相輸入個(gè)功率因數(shù)校正電路在開關(guān)電源中的使用越來越廣泛，圖2所示為升壓功率因數(shù)校正和無源無耗緩沖電路。 ? 圖2 功率因數(shù)校正和新型的無源無耗緩沖電路 采用無源無耗緩沖電路，元件全部采用L、C、D等無源器件，既有零電流導(dǎo)通特性，又有零電壓關(guān)斷特性，比傳統(tǒng)的有損耗的緩沖電路元件少30%。緩沖電路元件包括L1、C1、C2、D1、D2和D3。 可用UC2854A控制主開關(guān)SWB，其緩沖電路是不需控制的，并且具有電路簡單的特點(diǎn)。其原理是將二極管DB反向恢復(fù)的能量和SWB關(guān)斷時(shí)儲(chǔ)存在C2中的能量在SWB導(dǎo)通時(shí)轉(zhuǎn)移到C1中。在SWB關(guān)斷時(shí)，L1中的儲(chǔ)能向C2充電，并通過D1、D2、D3轉(zhuǎn)移到CB中，同時(shí)也向CB放電，用這種電路實(shí)現(xiàn)了零電壓關(guān)斷和零電流導(dǎo)通，有效地減少損耗，提高了電路的效率和可靠性。 該電路的主要特點(diǎn)是： 開關(guān)SWB上最大電壓為輸出電壓VL。 Boost二極管DB上最大反向電壓為VL+VE，VE值由IR、L1、C1及C2的相關(guān)值決定。 開關(guān)SWB上最大電流上升率由L1和V1決定，并且導(dǎo)通損耗和應(yīng)力很小。 開關(guān)SWB上最大電壓率由C2決定，并且關(guān)斷功耗和應(yīng)力很小。 在開關(guān)周期中，為獲得電流和電壓上升率的控制而儲(chǔ)存在L1和C2中的能量最終又回到輸出電源中，這樣確保電路真正的無損耗工作。 2 IGBT/MOSFET并聯(lián)組合開關(guān)技術(shù) 圖3所示為IGBT/MOSFET并聯(lián)組合開關(guān)電路及工作波形圖。與MOSFET相比，IGBT通態(tài)電壓很低，電流在關(guān)斷時(shí)很快下降到初始值的5%，但減少到零的時(shí)間較長，約1～1.5μs，在硬開關(guān)模式下會(huì)導(dǎo)致很大的開關(guān)損耗。在組合開關(guān)中，并聯(lián)MOSFET在IGBT關(guān)斷1.5μs后，拖尾電流已減少到接近零時(shí)才關(guān)斷。 ? ? ? 圖3 IGBT/MOSFET并聯(lián)組合開關(guān)電路及工作波形圖 這種技術(shù)因通態(tài)損耗很低而使得DC/DC變換器的效率很高。但需工作頻率相對(duì)較低，一般選取20～40kHz。由于半橋組合開關(guān)只需兩個(gè)開關(guān)，總的開關(guān)器件的數(shù)目少，使可靠性顯著提高。 3 半橋電路平衡控制技術(shù) 通過控制和調(diào)整 IGBT/MOSFET柵驅(qū)動(dòng)的延遲時(shí)間可使半橋平衡，避免變壓器偏磁飽和過流，燒毀開關(guān)管。這在脈沖較寬大時(shí)，很容易實(shí)現(xiàn)。但當(dāng)輕載或無載時(shí)，脈寬很窄(例如小于0.3μs)，此時(shí)的IGBT/MOSFET延遲已取消。因此在窄脈寬時(shí)，為保持其平衡，我們采用了一個(gè)低頻振蕩器。當(dāng)脈寬小于0.3μs時(shí)，振蕩器起振使PWM發(fā)生器間歇工作，保持脈寬不小于0.3μs，以維持半橋平衡，使其在無載時(shí)能正常工作。 由于工作頻率較低，組合開關(guān)的開關(guān)損耗很小，通態(tài)損耗也很小。 ? 圖4 半橋電路平衡控制電路

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